SiC器件技術的應用發展及可靠性測試

來源：成都中冷低溫科技有限公司

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一 、碳化硅（SiCk）源于材料特性的益處：

①阻斷電壓更高，導通電阻更低

②在高壓中以單極性工作→降低功率損耗，提高效率

③在高壓中高速開關運作→簡化系統設計

④更高的抗宇宙射線故障能力

二、CoolSiCTM MOSFET碳化硅的好處和目標應用：

半導體設計的持續發展趨勢，是在降低開關損耗的基礎上，提高功率密度，從而使用更小的散熱器，同時提高工作頻率，縮小磁性元件尺寸。

三、節能及系統集成度推動電力電子應用的發展

1、采用現代溝槽CoolSiCTM技術帶來了新機遇

平面DMOS：在導通狀態下，需要在性能及柵極氧化層可靠性之間作取舍；

溝槽Trench：在不違反柵極氧化層可靠性的條件下，更容易達到性能要求。

在相當于IGBT的可靠性水平時達到最佳的Rdson

2、CoolSiCTM  MOSFE具有與Si IGBT接近的氧化層可靠性：

①與現有的SiC MOSFET相比，具有出色的可靠性；

②可靠性接近Si IGBT

四、擴展可靠性測試及應用相關測試

①當前標準中的可靠性測試不足以滿足未來戶外應用的要求；

②測試新型SiC溝道MOSFET使用高于這些標準的可靠性測試及應用相關測試；

③進行了靜態和動態測試。

          中冷低溫科技研發的ThermoStream TS-780高低溫沖擊氣流儀的性能達到了極高的標準。能夠應用于特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗如：IGBT的試驗也可以使用該氣流儀，不僅如此，這些也同樣可用TS-780做測試：芯片、微電子器件、集成電路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）；閃存Flash、UFS、eMMC；PCBs、MCMs、MEMS、傳感器、小型模塊組件；光通訊（如：收發器 Transceiver 高低溫測試、SFP 光模塊高低溫測試等）；以及其它電子行業、航空航天新材料、實驗室研究。TS-780溫度轉換從-55℃到+125℃之間轉換約10秒，并有更廣泛的溫度范圍-80℃到+225℃；經長期的多工況驗證，能滿足更多生產環境和工程環境的要求。TS-780是純機械制冷，無需液氮或任何其他消耗性制冷劑，溫度轉換速率快，·溫控精度±1℃，顯示精度±0.1℃，氣流量可高達18SCFM，用TS-780做可靠性試驗不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機制，還有效地控制和保證器件的可靠性。